Компанії IBM і Micron Technology оголосили про початок виробництва нових модулів Hybrid Memory Cube (HMC), побудованих на основі стека з чіпів пам'яті, розташованих щільно один до одного.

Технологія HMC була представлена ​​у вересні цього року на конференції Intel для розробників як спільна розробка двох компаній.

У модулях HMC використовується технологія "зв'язок крізь кремній", що забезпечує електричний зв'язок між зібраними в стопку кристалами DRAM і кристалом зі схемою високошвидкісного введення-виведення. За рахунок такого компонування вдасться отримати більше каналів зв'язку і досягти більшої продуктивності в порівнянні з традиційною напівпровідниковою системою.

У прототипі HMC швидкість роботи пам'яті збільшена в 15 разів, а енергоспоживання знижене на 70%. При цьому HMC займає всього 10% площі друкованої плати, яку займають звичайні мікросхеми DRAM того ж об'єму.

Комерційним випуском чіпів HMC займеться компанія Micron, IBM забезпечить технологію виробництва, а також розробку і постачання контролерів мікросхем.

Перші поставки нових чіпів почнуться в другій половині 2012 року, після "обкатки" їх почнуть ставити і в персональні комп'ютери.

У жовтні компанії Micron і Samsung сформували консорціум Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), завданням якого є розробка та просування відкритої специфікації HMC.